JESD22-A108 IC可靠度壽命試驗介紹

                                             JESD22-A108 IC可靠度壽命試驗介紹
設定在靜態或脈沖正向偏壓模式。脈沖模式用來驗證器件在Z大額定電流附近承受的應力。特定的偏置條件應由器件內固體結的Z大數量來決定。
(2)HTLO/LTOL(高溫工作壽命試驗/低溫工作壽命試驗)
HTOL一般用在邏輯或存儲器件；LTOL一般用來尋找熱載流子引起的失效，或用來試驗存儲器件或亞微米尺寸的器件。
器件工作在動態工作模式。
一般，一些輸入參數也許被用來調整控制內部功耗，例如電源電壓、時鐘頻率、輸入信號等，這些參數也許工作在特定值之外，但在應力下會產生可預見的和非破壞性的行為。
特定的偏置條件應由器件內潛在的Z大數量的工作節點確定。
(3)HTRB(高溫反向偏置試驗)
HTRB用來試驗功率器件。
器件一般工作在靜態測試模式，試驗在Z大額定擊穿電壓和/或電流附件器件承受的應力。
(4)HTGB(高溫們偏置試驗)
HTGB一般用在功率器件試驗。
器件一般工作在靜態模式，試驗在Z大額定氧化物擊穿電壓附件器件承受的應力。
4.冷卻
在移除偏置前，高溫應力下的器件應冷卻到55℃以下。
為了移動器件到與壽命測試的試驗室分離的冷卻位置上而中斷偏置長達一分鐘的情況不應視為移除偏置。
所有制定的電子測量應在所有器件重加熱錢完成。
**偏置是指加載到電源引腳上的電壓。